Infineon SRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Maximale Taktfrequenz Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Qualifikation Verpackung
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 256K x 8 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Tray

Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 256K x 8 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Rolle: 1 500

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-32 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 1Mb 45ns 128K x 8 Low Power SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 16 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-32 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 45ns 128K x 16 Low Power SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 5.5 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 1.8V 55ns 128K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 2.25 V 1.65 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 45ns 256K x 8 Low Power SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-32 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 256K x 8 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 340
Mult.: 2 340

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT STSOP-32 Tray
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 256K x 8 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Reel
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 350
Mult.: 1 350

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM MoBL SRAM 4-Mbit Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM MoBL SRAM 4-Mbit Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 675
Mult.: 675

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Infineon Technologies SRAM MICROPOWER SRAMS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM MICROPOWER SRAMS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 350
Mult.: 1 350

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Infineon Technologies SRAM MoBL SRAM 4-Mbit Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 350
Mult.: 1 350

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Infineon Technologies SRAM Micropower SRAMs Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM Micropower SRAMs Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM MICROPOWER SRAMS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel