ISSI SRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
ISSI SRAM 1Mb, Serial SRAM, 2.2V-3.6V, 20MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

1 Mbit 128 k x 8 20 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 8 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
ISSI SRAM 1M (128Kx8) 12ns Async SRAM 3.3v
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray
ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,128K x 8,12ns/3.3v or 15ns/2.5v-3.6v, 48 Ball mBGA I (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

1 Mbit 12 ns 3.63 V 2.97 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,128K x 8,8ns/3.3v or 10ns/2.4v-3.6v, 32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

Reel

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,64K x 16,2.4V-3.6V (8ns),44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 64 k x 16 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed,Async,64K x 16,12ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

1 Mbit 15 ns 5.5 V 4.5 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,64K x 16,2.4V-3.6V (8ns),44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

1 Mbit 64 k x 16 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 32Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

32 Mbit 8 M x 4 200 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 75 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel
ISSI SRAM 32Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

32 Mbit 8 M x 4 133 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 75 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel

ISSI SRAM 4Mb,Low Power,Async,256K x 16,45ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44
ISSI SRAM 64K,High-Speed,Async,8K x 8,10ns,5v,28 Pin TSOP I (8x13.4mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

64 kbit 8 k x 8 10 ns Parallel 5.25 V 4.75 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-28 Reel
ISSI SRAM 1Mb 64Kx16 10ns Async SRAM 3.3v
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

1 Mbit 64 k x 16 10 ns Parallel 3.63 V 3.135 V 130 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray
ISSI SRAM 16Mb 1.65-2.2V 55ns 1Mx16 Async SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 96
Mult.: 96

16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48
ISSI SRAM 512Kb, Serial SRAM, 2.2V-3.6V, 20MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

512 kbit 64 k x 8 20 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 8 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,55ns,1.65v-2.2v, 32 Pin TSOP (8x20 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Rolle: 1 500

TSOP-32 Reel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,10ns,3.3v,48 Ball mBGA (8x10 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 3.135 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, ERR1/ERR2 Pins, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Rolle: 1 500

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, ECC, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 96
Mult.: 96

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, ECC, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Rolle: 1 500

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb 1Mb x 8 10ns Async SRAM 3.3v
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 100 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel