Tube NVRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Verpackung/Gehäuse
Schnittstellen-Typ
Speichergröße
Organisation
Datenbus-Weite
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Betriebsversorgungsstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
Datenblatt
Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

EDIP-28 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 200 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1230Y Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 1024k Nonvolatile SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

EDIP-32 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 70 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA 0 C + 70 C DS1245W Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 2048k Nonvolatile SRAM
Datenblatt
Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

EDIP-32 Parallel 2 Mbit 256 k x 8 8 bit 100 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA 0 C + 70 C DS1249Y Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 2048k Nonvolatile SRAM
Datenblatt
Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

EDIP-32 2 Mbit 85 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA 0 C + 70 C DS1249Y Tube

Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

PDIP-32 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 70 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1250AB Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 4096k Nonvolatile SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 11
Mult.: 11

EDIP-32 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 100 ns 3.6 V 3 V 50 mA - 40 C + 85 C DS1250W Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 11
Mult.: 11

EDIP-32 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 100 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1250Y Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 8M Nonvolatile SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 9
Mult.: 9

EDIP-36 Parallel 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 70 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1265AB Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 8M Nonvolatile SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 9
Mult.: 9

EDIP-36 Parallel 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA 0 C + 70 C DS1265Y Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 16M Nonvolatile SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

EDIP-36 16 Mbit 8 bit 70 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1270Y Tube

Infineon Technologies NVRAM 1-Mbit (128KX8) Quad SPI nvSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 3.6 V 2.7 V 33 mA - 40 C + 105 C CY14V101 Tube
Analog Devices / Maxim Integrated DS1270AB-100#
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 16M Nonvolatile SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 9
Mult.: 9

MOD-36 DS1270AB Tube
Infineon Technologies CY14E101J2-SXI
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 5V 3.4Mhz 128K x 8 SPI nvSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SOIC-8 CY14E101J2 Tube