SMD/SMT NVRAM

Ergebnisse: 175
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Verpackung/Gehäuse Schnittstellen-Typ Speichergröße Organisation Datenbus-Weite Zugangszeit Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Betriebsversorgungsstrom Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Serie Verpackung
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 400
Mult.: 40

PowerCap Module-34 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 100 ns 3.6 V 3 V 50 mA 0 C + 70 C DS1350W Tray
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

FBGA-48 CY14B101LA Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 45 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B101LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 3V 25ns 32K x 8 nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

TSOP-II-44 CY14B256LA Reel, Cut Tape
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 35ns 32K x 8 nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

FBGA-48 256 kbit 32 k x 8 35 ns 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14V256LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 25ns 128K x 8 nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

FBGA-48 CY14B101LA Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 3.4Mhz 128K x 8 SPI nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SOIC-16 I2C 1 Mbit 128 k x 8 3.6 V 2.7 V 400 uA - 40 C + 85 C CY14B101I Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SSOP-48 CY14B101LA Reel, Cut Tape
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 20ns 128K x 8 nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

TSOP-II-44 CY14B101LA Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 20ns 128K x 8 nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 675
Mult.: 675

TSOP-II-44 CY14B101LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 25ns 128K x 8 nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

TSOP-II-44 CY14B101LA Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

TSOP-II-44 CY14B101LA Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 25ns 64K x 16 nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B101NA Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 45ns 64K x 16 nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B101NA Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 512K x 8 nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 350
Mult.: 1 350

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104K Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 512K x 8 nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104K Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 350
Mult.: 1 350

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104K Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104K Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 512K x 8 nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

TSOP-II-44 CY14B104LA Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 512K x 8 nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 CY14B104LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104M Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 080
Mult.: 1 080

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104M Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104M Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104NA Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104NA Tray