+ 85 C NVRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Verpackung/Gehäuse Schnittstellen-Typ Speichergröße Organisation Datenbus-Weite Zugangszeit Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Betriebsversorgungsstrom Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Serie Verpackung
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Reel
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 3V 3.4Mhz 32K x 8 SPI nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SOIC-16 I2C 256 kbit 32 k x 8 8 bit 3.6 V 2.7 V 1 mA - 40 C + 85 C CY14B256I Reel
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 3V 40Mhz 32K x 8 SPI nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SOIC-16 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 3.6 V 2.7 V 3 mA - 40 C + 85 C CY14B256PA Reel
Infineon Technologies NVRAM 512Kb 3V 40Mhz 64K x 8 SPI nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SOIC-8 SPI 512 kbit 64 k x 8 8 bit 3.6 V 2.7 V 3 mA - 40 C + 85 C CY14B512Q2A Reel
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 1.95V 35ns nvSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 990
Mult.: 2 990

FBGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14U256LA Tray
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

FBGA-165 Parallel 16 Mbit 512 k x 32 32 bit 35 ns 3.6 V 2.7 V 75 mA - 40 C + 85 C CY14B116 Tray
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XIT
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

FBGA-165 Parallel 16 Mbit 512 k x 32 32 bit 35 ns 3.6 V 2.7 V 75 mA - 40 C + 85 C CY14B116 Reel