4 Gbit NAND-Flash

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Serie Speichergröße Schnittstellen-Typ Organisation Timing-Typ Datenbus-Weite Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Verpackung
Macronix NAND-Flash SLC NAND 1.8V 4Gbit x8 TSOP-48 8Bit ECC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500
SMD/SMT TSOP-48 MX30UF 4 Gbit 8 bit 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
Macronix NAND-Flash SLC NAND 1.8V 4Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000
SMD/SMT BGA-63 MX30UF 4 Gbit 512 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
Macronix NAND-Flash Serial NAND 3V 4Gbit x4 WSON-8 8Bit ECC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000
SMD/SMT WSON-8 MX35LF 4 Gbit Parallel 1 G x 4 Synchronous 4 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
Macronix NAND-Flash Serial NAND 3V 4Gbit x4 BGA-24 ECC-Free Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 480
SMD/SMT BGA-24 MX35LF 4 Gbit Serial 1 G x 4 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
Macronix NAND-Flash Serial NAND 3V 4Gbit x4 BGA-24 ECC-Free Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
SMD/SMT BGA-24 MX35LF 4 Gbit Serial 1 G x 4 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
Macronix NAND-Flash Serial NAND 3V 4Gbit x4 WSON-8 ECC-Free Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000
SMD/SMT WSON-8 MX35LF 4 Gbit Parallel 1 M x 4 Synchronous 4 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
Macronix NAND-Flash Serial NAND 1.8V 4Gbit x4 WSON-8 8Bit ECC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000
SMD/SMT WSON-8 MX35UF 4 Gbit Parallel 1 G x 4 Synchronous 4 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
Macronix NAND-Flash Serial NAND 1.8V 4Gbit x4 WSON-8 ECC-Free Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000
SMD/SMT WSON-8 MX35UF 4 Gbit Parallel 1 G x 4 Synchronous 4 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice GD5F4GM8UEBIGY
GigaDevice NAND-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI Synchronous 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice GD9FS4G8F4DLGI
GigaDevice NAND-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100

SMD/SMT FBGA-63 4 Gbit Parallel Asynchronous 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice GD9FS4G8F4DMGI
GigaDevice NAND-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel Asynchronous 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice GD9FU4G8F4DLGI
GigaDevice NAND-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100

SMD/SMT FBGA-63 4 Gbit Parallel Asynchronous 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice GD9FU4G8F4DMGI
GigaDevice NAND-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel Asynchronous 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
Kioxia America NAND-Flash SEE PRODUCT COMMENTS BELOW 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) Nicht auf Lager

SMD/SMT TFBGA-63 4 Gbit Parallel 512 M x 8 Synchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice GD5F4GM8REY2GY
GigaDevice NAND-Flash Nicht auf Lager
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI Synchronous 1.7 V 2 V - 40 C Tray
GigaDevice GD5F4GM8UEB2GY
GigaDevice NAND-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI Synchronous 2.7 V 3.6 V - 40 C Tray
GigaDevice GD5F4GM8UEYJGR
GigaDevice NAND-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI Synchronous 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Reel
GigaDevice GD9FU4G8F3ALGJ
GigaDevice NAND-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100

SMD/SMT FBGA-63 4 Gbit Parallel Asynchronous 2.7 V 3.6 V Tray
GigaDevice GD9FU4G8F3AMG2
GigaDevice NAND-Flash Nicht auf Lager
Min.: 960
Mult.: 960

SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel Asynchronous 2.7 V 3.6 V Tray
GigaDevice GD9FU4G8F3AMGJ
GigaDevice NAND-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel Asynchronous 2.7 V 3.6 V Tray
ISSI NAND-Flash 4Gb (x8, 4bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML04G084 4 Gbit Parallel 512 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND-Flash 4Gb (x8, 4bit ECC), TSOP-48, 1.8V, RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34MW04G084 4 Gbit Parallel 8 bit 1.7 V 1.95 V 20 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND-Flash 4Gb (x8, 8bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R, , AutoGrade Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SMD/SMT VFBGA-63 4 Gbit Parallel 512 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI NAND-Flash 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT, T&R, AutoGrade Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SMD/SMT VFBGA-63 4 Gbit Parallel 256 M x 16 Asynchronous 16 bit 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Reel

ISSI NAND-Flash 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel