2 Gbit NAND-Flash

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Serie
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
Organisation
Timing-Typ
Datenbus-Weite
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Macronix NAND-Flash Serial NAND 1.8V 2Gbit x4 WSON-8 ECC-Free +105C Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000
SMD/SMT WSON-8 MX35UF 2 Gbit Reel
Macronix NAND-Flash Serial NAND 1.8V 2Gbit x4 WSON-8 ECC-Free
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000
SMD/SMT WSON-8 MX35UF 2 Gbit Parallel 512 M x 4 Synchronous 4 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice GD5F2GM7REBIGY
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI Synchronous 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice GD5F2GM7UEBIGY
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI Synchronous 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice GD5F2GM7UEWIGR
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI Synchronous 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice GD5F2GM7UEYIGR
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI Synchronous 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
GigaDevice GD5F2GM7REY2GR
GigaDevice NAND-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI Synchronous 1.7 V 2 V - 40 C + 125 C Reel
GigaDevice GD5F2GM7REYJGR
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI Synchronous 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Reel
GigaDevice GD5F2GQ5REY2GR
GigaDevice NAND-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI Synchronous 1.7 V 2 V - 40 C Reel
GigaDevice GD5F2GQ5UEY2GR
GigaDevice NAND-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI Synchronous 2.7 V 3.6 V - 40 C Reel

ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3.3V, RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3.3V, RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SMD/SMT 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 105 C Reel
ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 105 C Reel

ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SMD/SMT 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 105 C Reel
ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 105 C Reel
ISSI NAND-Flash 2 Gbit(x8, 1 bit ECC), 63 BALL VFBGA, 3V, RoHS,IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT VFBGA-63 IS34ML02G081 2 Gbit Parallel 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND-Flash 2Gbit (x8, 4 bit ECC), 63 BALL VFBGA, 3V, RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT VFBGA-63 IS34ML02G084 2 Gbit Parallel 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND-Flash 2Gbit (x8, 4 bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML02G084 2 Gbit Parallel 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND-Flash 2Gbit (x8, 4 bit ECC), TSOP-48, 1.8V, RoHS, IT, T& R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34MW02G084 2 Gbit Parallel 256 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3.3V, RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 105 C