16 bit MRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Verpackung/Gehäuse
Schnittstellen-Typ
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Organisation
Datenbus-Weite
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Betriebsversorgungsstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Avalanche Technology MRAM
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1 056
Mult.: 96
TSOP-54 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1 350
Mult.: 135
TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1 056
Mult.: 96
TSOP-54 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1 008
Mult.: 168

FBGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology MRAM Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1 056
Mult.: 96

TSOP-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology MRAM Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
Datenblatt
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Min.: 1 008
Mult.: 168

FBGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology MRAM Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
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Nicht auf Lager
Min.: 1 056
Mult.: 96

TSOP-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology MRAM
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Min.: 1 008
Mult.: 168
FBGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology MRAM
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Min.: 1 056
Mult.: 96
TSOP-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology MRAM
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Min.: 1 008
Mult.: 168
FBGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology MRAM
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Min.: 1 056
Mult.: 96
TSOP-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3008316 Tray
Everspin Technologies MRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 696
Mult.: 348

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 696
Mult.: 348

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 270
Mult.: 135

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 696
Mult.: 348

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 270
Mult.: 135

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Reel