- 20 C DRAM

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Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 16Gb 1024Mx16 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
Datenblatt
111Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - LPDDR4X 16 Gbit 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 1 G x 16 570 mV 1.95 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 16Gb 512Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
Datenblatt
46Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - LPDDR4X 16 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 512 M x 32 570 mV 1.95 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 512Mx16 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
Datenblatt
5Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 512 M x 16 600 mV 1.95 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx16 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
Datenblatt
3Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 256 M x 16 600 mV 1.8 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 120
Mult.: 120

SDRAM - LPDDR4X 24 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 768 M x 32 600 mV 1.8 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 256 M x 32 600 mV 1.8 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray