4 Gbit DRAM

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Maximale Betriebstemperatur
Serie
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Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, Automotive Temp - Tray
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644Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 256 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
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131Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 1.866 GHz FBGA-200 256 M x 16 3.5 ns 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS
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366Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.2 GHz BGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C IS43QR16256B Tray
ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
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570Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 256 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16256BL
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS
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179Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS46TR16256BL
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
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122Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

4 Gbit 1.6 GHz BGA-200 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 4G, 128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 400MHZ, Industrial TEMP - Tray
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134erwartet ab 21.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 128 M x 32 5.5 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C128M32MD2A-25 Tray
Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 933MHz, Industrial Temp - Tray
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418Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 256 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 78-Ball FBGA, 800 MHz, Industrial Temp - Tray
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148Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 800 MHz FBGA-78 512 M x 8 20 ns 1.283 V 1.575 V - 40 C + 95 C Tray
SMARTsemi DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Industrial
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5 000Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 1.283 V 1.575 V - 40 C + 85 C KTDM Tray
Kingston DRAM itemp 4Gb 96 ball FBGA DDR4 3200
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Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 3.2 GHz FBGA-96 256 M x 16 13.75 ns 1.2 V 2.5 V - 40 C + 95 C Tray
Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-78
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IM4G08D3 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
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Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IM4G08D3 Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 256 M x 16 600 mV 1.8 V - 40 C + 95 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 4Gb, 1.1V, 128Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C IME4G32L4 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 420
Mult.: 2 420

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FPGA-78 512 M x 8 1.283 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 420
Mult.: 2 420

SDRAM - DDR3 4 Gbit 8 bit 1.066 GHz FPGA-78 512 M x 8 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 420
Mult.: 2 420

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 1.066 GHz FPGA-78 512 M x 8 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 090
Mult.: 2 090

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz FPGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 090
Mult.: 2 090

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz FPGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 090
Mult.: 2 090

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 256 M x 16 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 090
Mult.: 2 090

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 420
Mult.: 2 420

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FPGA-78 512 M x 8 1.283 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 420
Mult.: 2 420

SDRAM - DDR3 4 Gbit 8 bit 1.066 GHz FPGA-78 512 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 090
Mult.: 2 090

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 256 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3 Tray