1 Gbit DRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 128Mx8, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-60
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz FPGA-60 128 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FPGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84, 105C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FPGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FPGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 1066 at CL7, 1.8V, FBGA-84
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 533 MHz FPGA-84 64 M x 16 350 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 200
Mult.: 2 200

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 800 MHz FPGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 200
Mult.: 2 200

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 800 MHz FPGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 200
Mult.: 2 200

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 800 MHz FPGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-78, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 200
Mult.: 2 200

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 800 MHz FPGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-96
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 900
Mult.: 1 900

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FPGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 900
Mult.: 1 900

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FPGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 64Mx16, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 900
Mult.: 1 900

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz FPGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 64Mx16, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 900
Mult.: 1 900

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz FPGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1866 at CL13, 1.5V, FBGA-96
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 900
Mult.: 1 900

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 933 MHz FPGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1866 at CL13, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 900
Mult.: 1 900

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 933 MHz FPGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3 Tray
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16640C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500
SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16640C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16640C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
Datenblatt
Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 64 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16640CL
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 64 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16640CL Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500
SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 64 M x 16 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16640CL Reel
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500
SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 64 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16640CL Reel
ISSI DRAM 1333MT/s 64MX16 DDR3 SDRAM with ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS46TR16640ED
ISSI DRAM 1333MT/s 64MX16 DDR3 SDRAM with ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 105 C IS46TR16640ED
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1333MT/s at 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED Reel