+ 70 C DRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
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Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Winbond W9825G6KB-6
Winbond DRAM 256Mb SDR SDRAM x16, 166MHz,
Datenblatt
317Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 100

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TFBGA-54 16 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Tray
Winbond W9864G6KT-6
Winbond DRAM 64Mb, SDR SDRAM, x16, 166MHz, 46nm
Datenblatt
199Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 100

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TFBGA-54 4 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Tray
Alliance Memory DRAM 512Mb, 3.3V, 200Mhz 32M x 16 DDR
Datenblatt
1Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C32M16D1 Tray
ISSI IS43LR16800G-6BL
ISSI DRAM 128M, 1.8V, M-DDR 8Mx32, 166Mhz, RoHS
Datenblatt
162Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile - DDR 128 Mbit 16 bit 166 MHz 8 M x 16 8 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR16800G
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
Datenblatt
5Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 32 bit 200 MHz LFBGA-144 8 M x 32 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32800D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS
Datenblatt
28Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320E
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM 16Mx16 143MHz
Datenblatt
200Auf Lager
5 076Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160J
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
7 500erwartet ab 06.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel, Cut Tape
Alliance Memory DRAM SDRAM, 128Mb, 8M x 16, 3.3V, 54pin BGA, 143 Mhz, Commercial Temp - Tray
Datenblatt
333erwartet ab 29.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 128 Mbit 16 bit 143 MHz TFBGA-54 8 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
960Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
Datenblatt
1 500erwartet ab 15.09.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
1 470erwartet ab 17.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 8/8 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel, Cut Tape
Alliance Memory DRAM DDR1, 1G, 64M X 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 166MHz, Commercial Temp - Tray
Datenblatt
107erwartet ab 08.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1
SDRAM - DDR 1 Gbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C64M16D1 Tray
Alliance Memory DRAM SDRAM, 16Mb, 1M x 16, 3.3V, 50pin TSOP II, 143 MHz, Commercial Temp - Tray
Datenblatt
234erwartet ab 29.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-50 1 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C AS4C1M16S-7 Tray
Alliance Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 4M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 200Mhz, Commerical Temp - Tray
Datenblatt
108erwartet ab 10.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 4.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C AS4C4M16SA Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS
Datenblatt
216Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS
Datenblatt
108erwartet ab 10.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8/16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166MHz (166Mbps), 0C to +70C, FBGA-54
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 16 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IM2516SD Tray
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
Datenblatt
Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IME5108SD Tray
Zentel Japan DRAM DDR1 512Mb, 32Mx16, 200MHz at CL3, 2.5V, TSOPII-66
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C DDR1 Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 2.3 V 3 V 0 C + 70 C IS42RM32160E Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 2.7 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42SM32160E Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 2.3 V 3 V 0 C + 70 C IS42RM32160E Tray
ISSI DRAM 256M 16Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160G Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 2.7 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42SM32160E Tray