+ 105 C DRAM

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Menge RoHS ECAD Model Typ
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Verpackung/Gehäuse
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Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
Datenblatt
342Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - LPDDR2 2 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 16 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C
Alliance Memory DRAM DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400 Mhz, 84ball FBGA, (A-die), Automotive Temp - Tray
Datenblatt
204erwartet ab 21.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 128 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C AS4C128M16D2A-25 Tray
Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, Automotive Temp - Tray
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417erwartet ab 01.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 256 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 105 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR3, 1G, 64M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, (B-die), Automotive Temp - Tray
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124erwartet ab 26.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 105 C AS4C64M16D3B Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
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216erwartet ab 04.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
SMART Modular Technologies DRAM LPDDR4 16Gb 51 2Mx32 1.1V 4267Mbps 200-ball BGA Ind Distributed-Sold by SMART
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Vorlaufzeit 2 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit FBGA-200 512 M x 32 3.5 ns 1.1 V 1.8 V - 40 C + 105 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Kingston DRAM 96-Ball 512Mx16 8Gb DDR4 3200 AUTO TEMP -40C to 105C
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Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 20

SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit FBGA-96 512 M x 16 1.2 V 2.5 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

HyperRAM 256 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
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Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHB040
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 260
Mult.: 260

HyperRAM 256 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHB043
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Reel
Infineon Technologies S80KS2562GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S27KL0643GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz 8 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S70KL1283DPBHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 166 MHz 16 M x 8 36 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 256M x 8, 1.35V, 78 -balll BGA, 800MHz, AUTOMOTIVE temp - Tape & Reel
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500
SDRAM - DDR3L 2 Gbit 8 bit 800 MHz FBGA-78 256 M x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 105 C Reel
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, AUTO TEMP - Tape & Reel
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 128 M x 16 225 ps 1.283 V 1.45 V - 40 C + 105 C AS4C128M16D3LC-12 Reel
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 128Mx8 DDR3 A-Temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 800 MHz FBGA-78 128 M x 8 225 ps 1.283 V 1.45 V - 40 C + 105 C AS4C128M8D3LB Reel
Alliance Memory DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54ball BGA, 166 Mhz, automotive temp(.63), T&R, A Die
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TFBGA-54 16 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C Reel
Alliance Memory DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, automotive temp(.63), T&R, A Die
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C Reel
Alliance Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 4M x 16, 3.3V, 54ball BGA, 166 Mhz, Automotive temp - Tray & Reel
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TFBGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C AS4C4M16SA Reel
Alliance Memory DRAM SDR, 64Mb, 4M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, automotive temp(.63) TAPE AND REEL, A Die
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C AS4C4M16SA Reel
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 A-Temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 105 C AS4C64M16D3LB Reel
Alliance Memory DRAM 1G 1.8V 64M x 16 DDR2 A-Temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C AS4C64M16D2A Reel
Alliance Memory DRAM SDR, 128Mb, 8M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, automotive temp(.63), T&R, A Die
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SDRAM 128 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 8 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C AS4C8M16SA Reel