200 MHz DRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Winbond DRAM 128Mb SDR SDRAM x16, 200MHz, Ind temp
Datenblatt
324Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 100

SDRAM 128 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-54 8 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C W9812G6KH Tray
ISSI DRAM 128M, 2.5V, DDR, 4Mx32, 200MHz @ CL3, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS
Datenblatt
112Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 128 Mbit 32 bit 200 MHz BGA-144 4 M x 32 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32400E Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5V, 66pin TSOPII, 200MHz, Industrial Temp - Tray
Datenblatt
117Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M8D1 Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR1, 2G, 64M x 32, 1.8v, 200MHz, 90-BALL FBGA, (A-die) Industrial Temp - Tray
Datenblatt
23Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile - LPDDR 2 Gbit 32 bit 200 MHz FBGA-90 64 M x 32 6.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 60 BGA, 200MHz, Commercial Temp - Tray
Datenblatt
1Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TFBGA-60 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C16M16D1 Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 128MB, 4M X 32, 2.5V, 144BGA, 200MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray
Datenblatt
24Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 128 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-144 4 M x 32 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C4M32D1A Tray
Alliance Memory DRAM 512Mb, 3.3V, 200Mhz 32M x 16 DDR
Datenblatt
1Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C32M16D1 Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
Datenblatt
5Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 32 bit 200 MHz LFBGA-144 8 M x 32 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32800D Tray
AP Memory DRAM 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed
Datenblatt
2 880erwartet ab 21.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8/32 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS
Datenblatt
28Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320E
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
Datenblatt
59Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
Datenblatt
96Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16Mx16 DDR SDRAM
Datenblatt
54Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industrial Temp(A), T&R
Datenblatt
1 000erwartet ab 19.08.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C16M16D1A Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
479erwartet ab 22.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI DRAM 512Mb 1.8V 200Mhz Mobile DDR
Datenblatt
860Auf Lager
340erwartet ab 13.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16320C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

HyperRAM 256 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS12808O-OBR-WB same density NRND Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz WLCSP-24 16 M x 8/8 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS256XXN-OB9-WA same density NRND Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz WLCSP-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-13 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
Datenblatt
Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHA040
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 260
Mult.: 260

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHA043
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

HyperRAM 256 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies S80KS2564GACHB040
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 260
Mult.: 260

HyperRAM 256 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray