ISSI IS49NLS96400 Serie DRAM

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Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
ISSI DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 400Mhz RLDRAM2
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 400 MHz BGA-144 64 M x 9 2.38 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLS96400 Tray
ISSI DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 300MHz RLDRAM2
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 300 MHz BGA-144 64 M x 9 2.38 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLS96400 Tray
ISSI DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 400Mhz RLDRAM2
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 400 MHz BGA-144 64 M x 9 2.38 V 2.63 V 0 C + 70 C IS49NLS96400 Tray
ISSI DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 300MHz RLDRAM2
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 300 MHz BGA-144 64 M x 9 2.38 V 2.63 V 0 C + 70 C IS49NLS96400 Tray
ISSI DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 400MHz Leaded
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104
Nein
RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 400 MHz BGA-144 64 M x 9 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS49NLS96400 Tray
ISSI DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 300MHz Leaded
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104
Nein
RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 300 MHz BGA-144 64 M x 9 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS49NLS96400 Tray
ISSI DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 400MHz Leaded IT
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104
Nein
RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 400 MHz BGA-144 64 M x 9 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLS96400 Tray
ISSI DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 300MHz Leaded IT
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104
Nein
RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 300 MHz BGA-144 64 M x 9 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLS96400 Tray