8 bit DRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Alliance Memory DRAM SDRAM 512Mb (64Mx8), 3.3V, 54p TSOP II, 133MHz, Commercial Temp, Rev.D
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 108
Mult.: 108

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Tray
Alliance Memory DRAM SDRAM 512Mb (64Mx8), 3.3V, 54p TSOP II, 133MHz, Commercial Temp, Rev.D, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500
SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 200
Mult.: 2 200

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 800 MHz FPGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-78, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 200
Mult.: 2 200

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 800 MHz FPGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 420
Mult.: 2 420

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 8 bit 933 MHz FPGA-78 256 M x 8 1.283 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 420
Mult.: 2 420

SDRAM - DDR3 2 Gbit 8 bit 1.066 GHz FPGA-78 256 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 090
Mult.: 2 090

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FPGA-78 512 M x 8 1.283 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 090
Mult.: 2 090

SDRAM - DDR3 4 Gbit 8 bit 1.066 GHz FPGA-78 512 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3 Tray
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Vorlaufzeit 24 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz BGA-60 128 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR81280C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S83200J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S83200J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S83200J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S83200J Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 108
Mult.: 108

SDRAM 512 Mbit 8 bit 167 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM 512 Mbit 8 bit 167 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM 512 Mbit 8 bit 167 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM 512 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM 512 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S86400F Reel
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz BGA-60 128 M x 8 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR81280B Reel
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz BGA-60 128 M x 8 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS43DR81280B Reel
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS43DR81280B Reel
ISSI DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz,128Mx8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz BGA-60 128 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR81280C
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 242
Mult.: 242

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR81280C
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR81280C
ISSI DRAM 2G 256Mx8 400MHz DDR2 1.8V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 242
Mult.: 242

SDRAM - DDR2 2 Gbit 8 bit 400 MHz BGA-60 256 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR82560C Tray