8 bit DRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Typ Speichergröße Datenbus-Weite Maximale Taktfrequenz Verpackung/Gehäuse Organisation Zugangszeit Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Serie Verpackung
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24 Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
Infineon Technologies S80KS2562GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S27KL0643GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz 8 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S70KL1283DPBHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 166 MHz 16 M x 8 36 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-15 16 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Reel
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 128Mx8, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-60 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz FPGA-60 128 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-78 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 200
Mult.: 2 200

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 800 MHz FPGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-78 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 200
Mult.: 2 200

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 800 MHz FPGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 420
Mult.: 2 420

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 8 bit 933 MHz FPGA-78 256 M x 8 1.283 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 420
Mult.: 2 420

SDRAM - DDR3 2 Gbit 8 bit 1.066 GHz FPGA-78 256 M x 8 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 420
Mult.: 2 420

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 8 bit 1.066 GHz FPGA-78 256 M x 8 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 090
Mult.: 2 090

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FPGA-78 512 M x 8 1.283 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 090
Mult.: 2 090

SDRAM - DDR3 4 Gbit 8 bit 1.066 GHz FPGA-78 512 M x 8 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 090
Mult.: 2 090

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 1.066 GHz FPGA-78 512 M x 8 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
Alliance Memory DRAM 1G, 1.8V, 128M x 16 DDR2 C Temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 128 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C AS4C128M8D2A Reel
Alliance Memory DRAM DDR2, 1G, 128M x 8, 1.8V, 60-ball BGA, 400 MHz, Industrial Temp A Die - Tray Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 128 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C AS4C128M8D2A Tray
Alliance Memory DRAM 1G, 1.8V, 128M x 16 DDR2 I Temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 128 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C AS4C128M8D2A Reel
Alliance Memory DRAM SDRAM, 256M, 32M X8, 3.3V, 54 PIN TSOP II, 166MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C32M8SA Reel
Alliance Memory DRAM SDRAM, 256M, 32M X 8, 3.3V, 54PIN TSOP II,143 MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C AS4C32M8SA Reel
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5v, 60ball TFBGA, 200MHz, Commercial Temp - Tray Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-60 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C64M8D1 Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5v, 60ball TFBGA, 200MHz, Commercial Temp - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-60 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C64M8D1 Reel
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5v, 60ball TFBGA, 200MHz, Industrial Temp - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-60 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M8D1 Reel
Alliance Memory DRAM DDR2, 512Mb, 64M x 8, 1.8V, 400Mhz, 60-ball FBGA, Commercial Temp - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C AS4C64M8D2 Reel
Alliance Memory DRAM DDR2, 512Mb, 64M x 8, 1.8V, 400Mhz, 60-ball FBGA, Industrial Temp - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C AS4C64M8D2 Reel
Alliance Memory DRAM 512Mb 64Mx8 3.3V 143MHz SDRAM I-Temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 17 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C64M8SC Reel