DDR SRAMs

GSI Technology SigmaDDR™ SRAMs are synchronous memories with a common read and write data bus that combines capacity and performance with transaction rates unequaled by competitors. SigmaDDR SRAMs "DDR" refers to the ability to transfer two beats of data on the data bus in a single clock cycle. SigmaDDR memories are ideal for applications that alternate between read and write operations infrequently, at operating speeds of 250 MHz and above. GSI's SigmaDDR devices are compatible with all competitor Double Data Rate SRAMs.

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Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
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Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
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Maximale Betriebstemperatur
Montageart
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Verpackung
GSI Technology SRAM
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144 Mbit 4 M x 36 450 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.2 A - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM
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144 Mbit 4 M x 36 500 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.31 A - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM
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550 MHz Parallel - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM
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144 Mbit 8 M x 18 625 MHz Parallel 1.35 V 1.2 V 1.2 A - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM
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675 MHz Parallel - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM
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550 MHz Parallel - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM
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Min.: 1
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144 Mbit 4 M x 36 625 MHz Parallel 1.35 V 1.2 V 1.2 A - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM
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675 MHz Parallel - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M
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144 Mbit 8 M x 18 500 MHz Parallel 1.35 V 1.2 V - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M
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144 Mbit 8 M x 18 550 MHz Parallel 1.35 V 1.2 V - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M
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144 Mbit 8 M x 18 625 MHz Parallel 1.35 V 1.2 V 1.2 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M
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144 Mbit 8 M x 18 675 MHz Parallel 1.35 V 1.2 V - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M
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144 Mbit 4 M x 36 500 MHz Parallel 1.35 V 1.2 V - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M
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144 Mbit 4 M x 36 550 MHz Parallel 1.35 V 1.2 V - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M
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144 Mbit 4 M x 36 625 MHz Parallel 1.35 V 1.2 V 1.5 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M
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144 Mbit 4 M x 36 675 MHz Parallel 1.35 V 1.2 V - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M
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144 Mbit 8 M x 18 1.066 GHz Parallel 1.35 V 1.2 V 1.9 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M
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144 Mbit 8 M x 18 1.2 GHz Parallel 1.35 V 1.2 V 2.15 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM SigmaDDR-IVe, 144Mb, x18, 933MHz, Industrial Temp
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144 Mbit 8 M x 18 933 MHz Serial 1.35 V 1.25 V 1.75 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M
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144 Mbit 4 M x 36 1.066 GHz Parallel 1.35 V 1.2 V 2.4 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M
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144 Mbit 4 M x 36 1.2 GHz Parallel 1.35 V 1.2 V 2.75 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM SigmaDDR-IVe, 144Mb, x36, 800MHz, Industrial Temp
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144 Mbit 4 M x 36 800 MHz Parallel 1.35 V 1.2 V 1.95 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260
GSI Technology SRAM SigmaDDR-IVe, 144Mb, x36, 933MHz, Industrial Temp
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144 Mbit 4 M x 36 933 MHz Parallel 1.35 V 1.25 V 2.2 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260
GSI Technology SRAM 1.5/1.8V 16M x 18 288M
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288 Mbit 16 M x 18 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 640 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.5/1.8V 16M x 18 288M
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288 Mbit 16 M x 18 375 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 700 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray