NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.

Ergebnisse: 1 613
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
GSI Technology SRAM NBT SRAMs, 9Mb, x32, 200MHz, Industrial Temp
Datenblatt
48Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

9 Mbit 256 k x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 145 mA, 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M
Datenblatt
8erwartet ab 20.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1
72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 275 mA, 380 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 2 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 2 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 2 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 16M x 18 288M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

288 Mbit 16 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 410 mA, 470 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA, 240 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 18
Mult.: 18

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V - 40 C + 125 C SMD/SMT TQFP-100
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 18
Mult.: 18

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 275 mA, 380 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 300 mA, 435 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 72 72M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
72 Mbit 1 M x 72 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 340 mA, 480 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-209 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 295 mA, 435 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 3 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 295 mA, 380 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM NBT SRAMs, 9Mb, x32, 250MHz, Industrial Temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

9 Mbit 256 k x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 175 mA, 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

9 Mbit 256 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 175 mA, 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 14
Mult.: 14
72 Mbit 1 M x 72 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 500 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-209
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 8M x 18 144M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 15
Mult.: 15

144 Mbit 4 M x 18 6.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 315 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 4M x 36 144M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 15
Mult.: 15

144 Mbit 2 M x 36 6.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 350 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 15
Mult.: 15

144 Mbit 8 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 305 mA, 380 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 15
Mult.: 15

144 Mbit 8 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 380 mA, 450 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 15
Mult.: 15

144 Mbit 8 M x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 420 mA, 550 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 340 mA, 410 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 15
Mult.: 15

144 Mbit 4 M x 36 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 440 mA, 600 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray