FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)

RAMXEED FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory featuring fast writing speed operation, high read/write endurance, and low power consumption. These features make FRAM ideal for applications requiring continuous data logging, real-time recording of three-dimensional position information, and data protection from sudden power outages.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Schnittstellen-Typ
Maximale Taktfrequenz
Organisation
Verpackung/Gehäuse
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Verpackung

RAMXEED F-RAM 2Mbit FeRAM, SPI, 1.8-3.6V - DFN8 T&R (125C)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 500

2 Mbit SPI 50 MHz 256 k x 8 DFN-8 1.8 V 3.6 V - 40 C + 125 C Reel, Cut Tape, MouseReel

RAMXEED F-RAM 2Mbit FeRAM, SPI, 1.8-3.6V - DFN8 T&R (AEC-Q100 125C)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Rolle: 1 500

2 Mbit SPI 50 MHz 256 k x 8 DFN-8 1.8 V 3.6 V - 40 C + 125 C AEC-Q100 Reel

RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7 1.95V - DFN8 T&R (125?)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Rolle: 1 500

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 DFN-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C Reel

RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - DFN8 T&R (AECQ100 125C)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Rolle: 1 500

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 DFN-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C AEC-Q100 Reel

RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.8-3.6V - DFN8 T&R (AECQ100 125C)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Rolle: 1 500

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 DFN-8 1.8 V 3.6 V - 40 C + 125 C AEC-Q100 Reel