SRAM

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Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
Infineon Technologies SRAM ASYNC SRAMS
Datenblatt
2 217Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 500

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM ASYNC SRAMS
Datenblatt
654Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 500

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit
Datenblatt
384Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Tube
Infineon Technologies SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit
Datenblatt
658Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Tube
Infineon Technologies SRAM ASYNC SRAMS
Datenblatt
469Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 500

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM ASYNC SRAMS
Datenblatt
443Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Tube
Infineon Technologies SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 475
Mult.: 475

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Tube
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 475
Mult.: 475

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Tube