2 Gbit Tray Speicher-ICs

Arten von Speicher-ICs
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Ergebnisse: 188
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
GigaDevice GD55X02GEB2RY
GigaDevice NOR-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

NOR Flash SMD/SMT 2 Gbit DTR SPI, OPI, SPI
Infineon Technologies S70GL02GT11FHB020
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 180
Mult.: 180

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GT11FHB010
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GT11FHV020
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 180
Mult.: 180

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GT12FHBV20
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GS11FHI020
Infineon Technologies NOR-Flash 2G 3V 110ns Parallel NOR-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

NOR Flash SMD/SMT BGA-64 2 Gbit Parallel
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 420
Mult.: 2 420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 420
Mult.: 2 420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 420
Mult.: 2 420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 090
Mult.: 2 090

DRAM SMD/SMT FPGA-96 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 090
Mult.: 2 090

DRAM SMD/SMT FPGA-96 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 256M x 8, 1.35V, 78 -balll BGA, 800MHz, INDUSTRIAL temp - Tray
Datenblatt
Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 420
Mult.: 2 420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 420
Mult.: 2 420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 090
Mult.: 2 090

DRAM SMD/SMT FPGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM 2G 256Mx8 400MHz DDR2 1.8V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 242
Mult.: 242

DRAM SMD/SMT BGA-60 2 Gbit
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI NOR-Flash 2Gb QPI/QSPI, 24-ball LFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, Auto Grade, new die
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
Alliance Memory DRAM LPDDR1, 2G, 64M x 32, 1.8v, 200 MHz 90-BALL FBGA, Commercial Temp - Tray
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-90 2 Gbit