32 bit Speicher-ICs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS
Datenblatt
216Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, M-SDRAM 4Mx32, 133Mhz, RoHS
Datenblatt
240erwartet ab 28.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM 1G 32Mx32 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V
Datenblatt
171erwartet ab 25.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-134 1 Gbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
Datenblatt
216erwartet ab 04.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 24 Gbit
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-90 64 Mbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 120
Mult.: 120

DRAM SMD/SMT FBGA-200 24 Gbit
Kingston C3222PM4CDGUI-U
Kingston DRAM 32Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz -25c to 85c
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 20

DRAM SMD/SMT FBGA-200 32 Gbit
Kingston DRAM 32Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz
Datenblatt
Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 20

DRAM SMD/SMT FBGA-200 32 Gbit
Kingston DRAM 16Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz
Datenblatt
Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 20

DRAM SMD/SMT FBGA-200 16 Gbit
Kingston DRAM 16Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz
Datenblatt
Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 20

DRAM SMD/SMT FBGA-200 16 Gbit
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 4Gb, 1.1V, 128Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
Infineon Technologies S80KS2564GACHA043
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT FBGA-49 256 Mbit
Infineon Technologies S80KS2564GACHB040
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 260
Mult.: 260

DRAM SMD/SMT FBGA-49 256 Mbit
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

NVRAM SMD/SMT FBGA-165 16 Mbit Parallel
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XIT
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

NVRAM SMD/SMT FBGA-165 16 Mbit Parallel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit