N-Channel Power MOSFET MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
Vishay MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V
Datenblatt
597Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 41 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
Datenblatt
736Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V
Datenblatt
2 494Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 41 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
Datenblatt
2 750Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 174 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V
Datenblatt
1 730Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerPAK-10x12 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 41 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
Datenblatt
1 800Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerPAK-10x12 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 5 V - 55 C + 150 C 174 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V
Datenblatt
900Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 41 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
Datenblatt
840Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
Datenblatt
279Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Taiwan Semiconductor MOSFETs 150V, 1.4A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
5 398Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 1.4 A 392 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics MOSFETs Nch Power MOSFET 40V 180A 1.25mohm TO-263 / D2PAK
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 1.25 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 160 nC + 175 C 288 W Enhancement Reel, Cut Tape
Renesas Electronics MOSFETs Nch Power MOSFET 55V 180A 1.75mohm TO-263 / D2PAK
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 55 V 180 A 1.75 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 160 nC + 175 C 288 W Enhancement Reel, Cut Tape