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NCP51561DADWR2G

Name: onsemi NCP51561DADWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCP51561DADWR2G
Price: 3.16 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NCP51561DADWR2G

Herst.- Nr.:

NCP51561DADWR2G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Galvanisch isolierte Gate-Treiber 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver

Datenblatt:

NCP51561DADWR2G Datenblatt

ECAD Model:

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	€ 1,98	€ 198,00
	€ 1,93	€ 482,50
	€ 1,71	€ 855,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	€ 1,68	€ 1 680,00
	€ 1,63	€ 3 260,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Galvanisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:
Serie:	NCP51561
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-16
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Isolierungsspannung:	5 kVrms
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verzögerungszeit - Max.:	58 ns
Anstiegszeit:	11 ns
Abfallzeit:	10 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Eingangsspannung – Max:	5 V
Eingangsspannung – Min:	3 V
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	58 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	58 ns
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	2 Output
Ausgangsstrom:	4.5 A, 9 A
Ausgangsspannung:	18.5 V to 30 V
Produkt:	Gate Driver
Produkt-Typ:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.:	5 V
Versorgungsspannung - Min.:	3 V

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Datenblatt

NCP51561DADWR2G Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310030
ECCN:: EAR99

NCP51561 Isolierte Zweikanal-Gate-Treiber von 5 kVRMS

onsemi NCP51561 Isolierte 5-kVRMS-Zweikanal-Gate-Treiber sind für ein schnelles Schalten zum Antrieb von Leistungs-MOSFETs und SiC-MOSFET-Leistungschaltern ausgelegt. Die NCP51561 4,5-A-/9,0-A-Gate-Treiber bieten kurze und angepasste Laufzeitverzögerungen. Zwei unabhängige und galvanisch getrennte Gate-Treiberkanäle mit 5 kV_RMS (UL1577-Einstufung) können in allen möglichen Konfigurationen von zwei Low-Side-, zwei High-Side-Schaltern oder einem Halbbrückentreiber mit programmierbarer Totzeit verwendet werden. Ein Freigabe-Pin schaltet beide Ausgänge gleichzeitig ab, wenn er niedrig eingestellt ist. Die NCP51561 Gate-Treiber integrieren weitere wichtige Schutzfunktionen, wie z. B. eine unabhängige Unterspannungssperre für Gate-Treiber und Freigabefunktionen.

Industrielle Motorantriebe

onsemi Industrie-Motorantriebe sind für die globale Nachhaltigkeit ausgelegt und liefern effiziente, erneuerbare Technologien und intelligente Leistung. Laut der vom US- Energieministerium (DOE) veröffentlichten Marktanalyse für 2020 (MSMA) verbrauchen Industriepumpen und Laufwerke jährlich fast 15 % des gesamten US- Rasters. Die MSMA von 2020 schätzt auch, dass jährlich 32,3 Millionen Tonnen CO2-Emissionen eingespart werden können, indem VFDs eingesetzt werden. Onsemi stellt eine breite Palette von VFD Halbleiter Bauelementen her, einschließlich Gate-Treiber. MOSFETs IGBTs und EliteSiC.

Cloud-Leistungsmanagement-Lösungen

Die Cloud-Leistungsmanagement-Lösungen von onsemi steigern den Wirkungsgrad, während gleichzeitig das Systemdesign vereinfacht, der Platzbedarf des Boards reduziert, die Zuverlässigkeit verbessert und die Markteinführung verkürzt wird. Da die weltweite Nachfrage nach Energie bis 2030 um 35 % bis 40 % zunehmen wird, werden die wichtigsten Industrieprodukte von onsemi mit einer Kälteeffizienz betrieben, um den täglichen Energieverbrauch zu senken.

Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.