2ED2182S06FXUMA1

Infineon Technologies
726-2ED2182S06FXUMA1
2ED2182S06FXUMA1

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber LEVEL SHIFT DRIVER

Datenblatt:
ECAD Model:
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€ 0,777 € 3 885,00

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Infineon
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
DSO-8
1 Driver
1 Output
2.5 A
10 V
20 V
15 ns
15 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
Marke: Infineon Technologies
Logiktyp: CMOS, LSTTL
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 300 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 300 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Betriebsversorgungsstrom: 550 uA
Pd - Verlustleistung: 625 mW
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 300 ns
Abschaltung: Shutdown
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
Artikel # Aliases: 2ED2182S06F SP003244532
Gewicht pro Stück: 233,750 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

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Product Catalogs

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542310075
ECCN:
EAR99

EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs sind für MOSFETs, IGBTs, SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs-Bauteile ausgelegt. EiceDRIVER™ Gate-Treiber bieten eine große Auswahl von typischen Ausgangsstromoptionen von 0,1 μA bis 10 μA. Diese Bauteile verfügen über robuste Gate-Treiber-Schutzfunktionen, wie z. B. schnelle Kurzschluss-Sicherung (DESAT), aktive Miller-Klemme, Durchzündungsschutz, Fehler-, Abschalt- und Überstromschutz. Diese Funktionen machen diese Treiber-ICs ideal für Silizium- und Breitbandlücken-Leistungsbauteile, einschließlich CoolGaN™ und CoolSiC™. Aus diesem Grund bietet der Infineon mehr als 500 EiceDRIVER™ Gate-Treiber-IC-Lösungen, die sich für jeden Leistungsschalter und jede Applikation eignen.

2ED218x Hochstrom-Halbbrücken-Gate-Treiber mit 650 V

Infineon 2ED218x Hochstrom-Halbbrücken-Gate-Treiber mit 650 V bieten eine integrierte Bootstrap-Diode in einem DSO-8- oder DSO-14-Gehäuse. Der 2ED218x kombiniert Hochstrom mit Hochgeschwindigkeit, um MOSFETs und IGBTs mit einem typischen Senk- und Quellenstrom von 2,5 A anzusteuern.

2ED210x Schwachstrom-Halbbrücken-Gate-Treiber mit 650 V

Infineon 2ED210x Schwachstrom-Halbbrücken-Gate-Treiber mit 650 V bieten eine integrierte Bootstrap-Diode in einem DSO-8- oder DSO-14-Gehäuse. Die 2ED210x 0,7-A-Schwachstrom-Treiber basieren auf der SOI-Technologie (Silicon-on-Insulator, SOI). Die SOI-Technologie ist eine Hochspannungs-Pegelverschiebungstechnologie, die einzigartige, messbare und erstklassige Vorteile bietet. Dazu gehören eine integrierte Bootstrap-Diode (BSD) und eine branchenführende Robustheit zum Schutz gegen negative Transientenspannungsspitzen. Diese Technologie kann auch die Leistungsverluste durch die Pegelverschiebung verringern, um die Verlustleistung des Bauteils zu reduzieren. Der fortschrittliche Prozess ermöglicht eine monolithische Hochspannungs- und Niederspannungsbauweise mit Technologie-verbesserten Vorteilen.

Lösungen für Küchenkleingeräte

Infineon Lösungen für Küchenkleingeräte bieten zahlreiche Bauteile und Lösungen, die in Küchenkleingeräte passen. Es gibt einen wachsenden Trend in Richtung Stil und mehr Effizienz, dem Designer mit einem großen Angebot von unzähligen Varianten begegnen. Energieeffizienz, ein modernes Aussehen, leichtes Abwischen und hermetisch abgedichtete Oberflächen sind nur einige Merkmale, die ein Entwicklungsingenieur berücksichtigen und in neue Designs integrieren muss. Infineon bietet Lösungen für mehrere Schlüsselbereiche, wie z. B. für die Induktionserwärmung sowie für Haushaltsgeräte, die Motorsteuerungslösungen mit energieeffizienten, integrierten Leistungsbauelementen erfordern.

Silicon-on-Insulator (SOI) -Gate-Treiber-ICs

Infineon Silicon-on-Insulator  (SOI) Gate-Treiber-ICs sind Pegelverschiebungs-Hochspannungs-Gate-Treiber-ICs für IGBTs und MOSFETs. Die SOI-Technologie ist eine Hochspannungs-Pegelverschiebungstechnologie, die einzigartige, messbare und erstklassige Vorteile bietet. Dazu gehören eine integrierte Bootstrap-Diode (BSD) und eine branchenführende Robustheit zum Schutz gegen negative Transientenspannungsspitzen. Jeder Transistor wird durch ein integriertes Siliziumdioxid isoliert, wodurch die parasitären bipolaren Transistoren, die ein Latch-up verursachen, eliminiert werden. Diese Technologie kann auch die Leistungsverluste durch die Pegelverschiebung verringern, um die Verlustleistung des Bauteils zu reduzieren. Der fortschrittliche Prozess ermöglicht eine monolithische Hochspannungs- und Niederspannungs-Schaltungsbauweise mit technologieverbesserten Vorteilen.

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