LMG3100R017VBER

Texas Instruments
595-LMG3100R017VBER
LMG3100R017VBER

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber 100V 1.7mohm GaN FET with integrated dri

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Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
€ 12,50 € 12,50
€ 9,50 € 95,00
€ 9,11 € 227,75
€ 8,02 € 802,00
€ 7,63 € 1 907,50
€ 7,14 € 3 570,00
€ 6,66 € 6 660,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
€ 6,66 € 16 650,00

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
VQFN-FCRLF-15
1 Driver
1 Output
8 A
4.75 V
5.25 V
- 40 C
+ 175 C
LMG3100R017
Reel
Cut Tape
Marke: Texas Instruments
Eingangsspannung – Max: 5.25 V
Eingangsspannung – Min: 4.75 V
Logiktyp: TTL
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Betriebsversorgungsstrom: 170 uA
Ausgangsspannung: 12 V
Produkt-Typ: Gate Drivers
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 1.7 mOhms
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: GaN
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG3100R0x GaN-FETs mit integrierten Treibern

Die Galliumnitrid (GaN)-FETs LMG3100R0x von Texas Instruments mit integrierten Treibern sind GaN-FETs mit 1,7 mΩ und Treiber mit High-Side-Pegelwandler und Bootstrap. Zwei LGM3100-Bauteile können zu einer Halbbrücke zusammengeschlossen werden, ohne dass ein externer Pegelwandler erforderlich ist. Die GaN-FET- und Treiberkomponenten verfügen über einen integrierten  Unterspannungsschutz (UVLO) für die Versorgungsschiene sowie eine interne Bootstrap-Spannungsbegrenzung, um eine Überspannung der Versorgungsspannung (>5,4 V) zu verhindern. Das Bauteil LMG3100R0x von Texas Instruments bietet einen niedrigen Stromverbrauch und eine verbesserte Benutzeroberfläche. Das Bauteil LMG3100R017 ist eine hervorragende Lösung für Applikationen mit hoher Frequenz und Effizienz, einschließlich Auf-/Abwärtswandler, LLC-Wandler, Solarumrichter, Telekommunikation, Motorantriebe, Elektrowerkzeuge und Audioverstärker der Klasse D.