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FDMS86104

Name: onsemi FDMS86104
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86104
Price: 3.28 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FDMS86104

Herst.- Nr.:

FDMS86104

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

Datenblatt:

FDMS86104 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	Power-56-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	16 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	24 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.9 V
Qg - Gate-Ladung:	6.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	73 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	18 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	FDMS86104
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	74 mg

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Datenblatt

FDMS86104 Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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Maschinelles Sehen

Onsemi bietet mit einer breiten Palette von Bildsensoren von VGA bis 45MP die perfekte LÖSUNG für die Anforderungen der industriellen Bildverarbeitung. Intelligente Sensorlösungen, die auf jahrzehntelanger Erfahrung im Bereich der Bildgebung und proprietären Pixeldesignprozessen beruhen, sorgen für erstklassige Qualität und effiziente Bilderfassung. Die Bildsensorfamilien von onsemi wurden speziell für den Markt der industriellen Bildverarbeitung entwickelt und zeichnen sich durch eine branchenführende Global-Shutter-Effizienz und Bildraten aus, die die Anforderungen moderner Kameras erfüllen und sogar übertreffen. Diese fortschrittlichen Funktionen in Kombination mit Systemkomponenten, die speziell für onsemi-Sensoren entwickelt wurden, ermöglichen die Herstellung von zuverlässigen Inspektionskameras, die scharfe, verwacklungsfreie Bilder liefern.

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	€ 1,56	€ 156,00
	€ 1,31	€ 655,00
	€ 1,21	€ 1.210,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 1,14	€ 3.420,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

FDMS86104

Herst.: onsemi

Beschreibung: MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

Technische Daten

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