TO-3P Diskrete Halbleiter

Arten von diskreten Halbleitern
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Menge RoHS Produkt-Typ
Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
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712Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
Toshiba MOSFETs PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN
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2 986Auf Lager
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics Triacs 25A High Volt Triac 1200V 150mA IGT
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555Auf Lager
Min.: 1
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Triacs Through Hole TO-3P
STMicroelectronics Triacs 40 A 1200 Volt
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540Auf Lager
Min.: 1
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Triacs Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
Datenblatt
464Auf Lager
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs 1250V 20A trench gte field-stop IGBT
Datenblatt
613Auf Lager
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
Datenblatt
287Auf Lager
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
IXYS MOSFETs TO3P 250V 120A N-CH X3CLASS
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10Auf Lager
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P
Littelfuse Schottky Dioden & Gleichrichter 120 Amps 150V
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1 770erwartet ab 29.09.2026
Min.: 1
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Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
Datenblatt
199Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd
Datenblatt
300erwartet ab 25.05.2026
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
Littelfuse Schottky Dioden & Gleichrichter 50 Amps 100V
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 800
Mult.: 30

Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-3P
IXYS MOSFETs TO3P 200V 130A N-CH TRENCH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P
IXYS MOSFETs TO3P 100V 60A N-CH TRENCH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor Gleichrichter 50ns, 16A, 50V, High Efficient Recovery Rectifier
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 900
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Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor Gleichrichter 50ns, 16A, 100V, High Efficient Recovery Rectifier
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 900
Mult.: 900

Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor Gleichrichter 50ns, 16A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 900
Mult.: 900

Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor Gleichrichter 50ns, 30A, 50V, High Efficient Recovery Rectifier
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 900
Mult.: 900

Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor Gleichrichter 50ns, 30A, 100V, High Efficient Recovery Rectifier
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 900
Mult.: 900

Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor Gleichrichter 50ns, 30A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 900
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Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter 20A, 35V, Schottky Rectifier
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 900
Mult.: 900

Schottky Diodes & Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter 20A, 50V, Schottky Rectifier
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 900
Mult.: 900

Schottky Diodes & Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter 20A, 90V, Schottky Rectifier
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 900
Mult.: 900

Schottky Diodes & Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter 30A, 35V, Schottky Rectifier
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 900
Mult.: 900

Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-3P