8 Gbit Halbleiter

Arten von Halbleitern
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS
Macronix NAND-Flash SLC NAND 3V 8Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000
Macronix NAND-Flash SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 2 200
Mult.: 220
Macronix NAND-Flash SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000
Macronix NAND-Flash SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC +105C Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000
Macronix NAND-Flash SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000
GigaDevice GD9FS8G8E4DLGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100

GigaDevice GD9FS8G8E4DMGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

GigaDevice GD9FU8G8E4DLGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100

GigaDevice GD9FU8G8E4DMGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

Zentel Japan DRAM DDR3L 8Gb, 512Mx16 (1CS, 1ZQ), 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1 900
Mult.: 1 900

ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 44 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 44 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
Datenblatt
Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000