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ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500


ISSI NAND-Flash 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, T&R, Auto Grade Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI NAND-Flash 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, T&R, Auto Grade Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000

ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
ISSI NAND-Flash 4G 3.3V x8 NAND-Flash Q100 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

ISSI NAND-Flash SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,63-ball VFBGA 9x11x1.0mm Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI NAND-Flash SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI NAND-Flash 4Gb (x8, 8bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, , AutoGrade Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 96
Mult.: 96

ISSI NAND-Flash 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3V, RoHS, IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM SUGGESTED ALTERNATE IS43LQ32128A-062TBLI Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 171
Mult.: 171

ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136


ISSI NAND-Flash 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

ISSI NAND-Flash 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 933MHz, Commercial Temp - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 933MHz, Industrial Temp - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000