1.6 GHz Halbleiter

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NXP Semiconductors Mikroprozessoren - MPU Layerscape 64-bit Arm Cortex-A53, Dual-core, 1.6GHz, 0 to 105C, Security enabled, 21x21 pkg
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60
NXP Semiconductors Mikroprozessoren - MPU Layerscape 64-bit Arm Cortex-A53, Dual-core, 1.6GHz, 0 to 105C, Security disabled, 21x21 pkg
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60
NXP Semiconductors Mikroprozessoren - MPU Layerscape 64-bit Arm Cortex-A53, Dual-core, 1.6GHz, -40 to 105C, Security enabled, 21x21 pkg
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

NXP Semiconductors Mikroprozessoren - MPU Layerscape 64-bit Arm Cortex-A72, Dual-core, 1.6GHz, 0 to 105C, Security enabled
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

NXP Semiconductors Mikroprozessoren - MPU Layerscape 64-bit Arm Cortex-A72, Dual-core, 1.6GHz, 0 to 105C, Security disabled
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

NXP Semiconductors Mikroprozessoren - MPU Layerscape 64-bit Arm Cortex-A72, Dual-core, 1.6GHz, -40 to 105C, Security enabled
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

NXP Semiconductors Mikroprozessoren - MPU Layerscape 64-bit Arm Cortex-A72, Dual-core, 1.6GHz, -40 to 105C, Security disabled
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

NXP Semiconductors Mikroprozessoren - MPU Layerscape 64-bit Arm Cortex-A53, Quad-core, 1.6GHz, 0 to 105C, Security enabled, 21x21 pkg
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

NXP Semiconductors Mikroprozessoren - MPU Layerscape 64-bit Arm Cortex-A53, Quad-core, 1.6GHz, 0 to 105C, Security disabled, 21x21 pkg
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

NXP Semiconductors Mikroprozessoren - MPU Layerscape 64-bit Arm Cortex-A53, Quad-core, 1.6GHz, -40 to 105C, Security enabled, 21x21 pkg
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Intel NN8071904626417SRL3Z
Intel CPU - Central Processing Units (Zentralprozessoren) Intel Atom Processor C5310 (9M Cache, 1.6GHz) FC-BGA16B, Tray Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500