NSS12100UW3TCG

onsemi
863-NSS12100UW3TCG
NSS12100UW3TCG

Herst.:

Beschreibung:
Bipolartransistoren - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 1 750

Lagerbestand:
1 750
sofort lieferbar
Auf Bestellung:
3 000
Lieferzeit ab Hersteller:
8
Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
€ -,--
Erw. Preis:
€ -,--
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
€ 0,671 € 0,67
€ 0,426 € 4,26
€ 0,286 € 28,60
€ 0,223 € 111,50
€ 0,205 € 205,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
€ 0,18 € 540,00
€ 0,166 € 996,00
€ 0,151 € 1 359,00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
onsemi
Produktkategorie: Bipolartransistoren - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WDFN3
PNP
Single
1 A
12 V
12 V
5 V
400 mV
1.1 W
200 MHz
- 55 C
+ 150 C
NSS12100UW
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: onsemi
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: MY
Ursprungsland: MY
Produkt-Typ: BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Gewicht pro Stück: 9,300 mg
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8542399000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99

Low Vce(sat) Bipolar Junction Transistors

Family of Vce(sat) BJT devices feature low-saturation voltage and high-current gain.

e2PowerEdge Transistoren mit niedriger VCE(sat)-Spannung

Die e2PowerEdge Transistoren mit niedriger VCE(sat)-Spannung von onsemi sind oberflächenmontierte Bauteile mit extrem niedriger Sättigungsspannung (VCE(sat)) und hoher Stromverstärkungsfähigkeit. Sie sind für Niederspannungs-Hochgeschwindigkeits-Schaltapplikationen konzipiert, bei denen eine kostengünstige und effiziente Energiesteuerung unerlässlich ist. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler und Energiemanagement in tragbaren und batteriebetriebenen Produkten wie Mobiltelefone, PDAs, Computer, Drucker, Digitalkameras und MP3-Player. Weitere Applikationen sind Niederspannungs-Motorsteuerungen in Massenspeicherprodukten wie Scheiben- und Bandantrieben. Diese können für den Airbag-Einsatz und Kombiinstrumente in der Automotive-Industrie verwendet werden. Die hohe Stromverstärkung ermöglicht die Ansteuerung der e2PowerEdge-Bauteile von onsemi direkt von den Steuerausgängen der PMUs und die lineare Gain (Beta) machen sie zu idealen Komponenten in analogen Verstärkern.