HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
IXYS MOSFETs 40V/440A TrenchT4 Power MOSFET
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 40 V 440 A 1.25 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 480 nC - 55 C + 175 C 940 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs N-Channel Trench Gate TrenchT2 MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 55 V 440 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 405 nC - 55 C + 175 C 1 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Trench T2 Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 40 V 500 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 405 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO251 700V 4A N-CH X2CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 2 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 350
Mult.: 70

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs PLUS247 650V 102A N-CH X2CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 55 V 55 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 595 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 40 V 600 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 590 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO252 650V 2A N-CH X2CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2 A 2.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 55 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 44 Wochen
Min.: 300
Mult.: 20
Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 500 V 63 A 43 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs SMPD MOSFETs Power Device
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 300
Mult.: 20

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 1 Channel 300 V 102 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 376 nC - 55 C + 150 C 570 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs SMPD MOSFETs Power Device
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 300
Mult.: 20

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 1 Channel 250 V 130 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 364 nC - 55 C + 150 C 570 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs SMPD MOSFETs Power Device
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 300
Mult.: 20

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 200 V 156 A 8.3 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs SMPD MOSFETs Power Device
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 300
Mult.: 20

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 150 V 235 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 715 nC - 55 C + 175 C 680 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs SMPD MOSFETs Power Device
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 46 Wochen
Min.: 300
Mult.: 20

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 1.1 kV 24 A 290 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs SMPD MOSFETs Power Device
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 1 Channel 100 V 334 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 670 nC - 55 C + 175 C 680 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs HiperFET Pwr MOSFET Q3-Class
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 46 Wochen
Min.: 300
Mult.: 20

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 1 kV 30 A 245 mOhms - 30 V, 30 V 264 nC - 55 C + 150 C HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs SMPD MOSFETs Power Device
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 300
Mult.: 20

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 1 Channel 55 V 550 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 595 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 40V 600A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 300
Mult.: 20

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 1 Channel 40 V 600 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 590 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 650v/32A Power MOSFET
Datenblatt
N/A

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 135 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube