HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung

IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 57 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 195 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 32 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 215 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 600V 44A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 330 nC - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/44A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 44 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 185 nC 1.25 kW HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/48A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 46 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 140 nC 1 kW HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 64 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 145 nC 1 kW HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/64A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 46 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 190 nC 1.25 kW HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 66 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 230 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 90 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 210 nC - 55 C + 150 C 1.1 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 98 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 600 V 4 A 2.2 Ohms HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO252 850V 4A N-CH XCLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 350
Mult.: 70

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 500 V 5 A 1.65 Ohms HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 100 Amps 40V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25.5 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs IXTA102N15T TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 102 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 87 nC - 55 C + 175 C 455 W Enhancement HiPerFET Reel
IXYS MOSFETs 110 Amps 55V 6.7 Rds
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 55 V 110 A 7 mOhms - 55 C + 175 C 230 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 120 Amps 40V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 175 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 120 Amps 75V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 7.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 78 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 130 Amps 65V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 65 V 130 A 6.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 79 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 8.5 mOhms - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 8.5 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO263 N-CH 55V 140A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 55 V 140 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 82 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO263 120V 140A N-CH TRENCH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 120 V 140 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 174 nC - 55 C + 175 C 577 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 160 A 7 mOhms - 55 C + 175 C 430 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 160 A 7 mOhms - 55 C + 175 C 430 W Enhancement HiPerFET Tube