HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
IXYS MOSFETs TO220 600V 16A N-CH POLAR
Datenblatt
800Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 470 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 347 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 4 Amps 1000V
Datenblatt
400Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 4 A 3.3 Ohms - 20 V, 20 V 6 V 26 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET
Datenblatt
600Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
Datenblatt
420Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 50 nC - 55 C + 150 C 695 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
Datenblatt
420Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 94 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO268 850V 30A N-CH XCLASS
Datenblatt
1 320Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 300
Mult.: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 850 V 30 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 695 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 650V/60A TO-268HV
Datenblatt
780Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 300
Mult.: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 27 Amps 800V 0.32 Rds
Datenblatt
750Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 27 A 320 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Datenblatt
450Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 170 V 320 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 640 nC - 55 C + 175 C 1.67 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 32 Amps 800V 0.27 Rds
Datenblatt
720Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 32 A 270 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 600V 48A
Datenblatt
840Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 135 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 220 Amps 40V 0.0035 Rds
Datenblatt
50Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 40 V 220 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 220 Amps 40V 0.0035 Rds
Datenblatt
1 200Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 300
Mult.: 50
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 220 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds
Datenblatt
450Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 105 V 80 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 60 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 86 Amps 200V 29 Rds
Datenblatt
650Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 300
Mult.: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 29 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 175 C 480 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 650V 12A N-CH X2CLASS
Datenblatt
1 470Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 17.7 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds
Datenblatt
420Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 104 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 102 Amps 150V 18 Rds
Datenblatt
300Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 102 A 18 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 455 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 12A N-CH X2CLASS
Datenblatt
1 550Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 40 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 20A N-CH X2CLASS
Datenblatt
950Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 120V 80A N-CH TRENCH
Datenblatt
600Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 120 V 80 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 55 C + 175 C 325 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 700V/4A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Datenblatt
1 000Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO3P 200V 130A N-CH TRENCH
Datenblatt
1 140Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-3P N-Channel 200 V 130 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 830 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO3P 100V 60A N-CH TRENCH
Datenblatt
1 170Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P N-Channel 100 V 60 A 18 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 175 C 176 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO252 650V 2A N-CH X2CLASS
Datenblatt
140Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2 A 2.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 55 W Enhancement HiPerFET Tube