HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung

IXYS MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
Datenblatt
73Auf Lager
1 230Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6.4 mOhms - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A
Datenblatt
104Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 55 V 260 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 140 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 110 Amps 55V 0.0066 Rds
Datenblatt
139Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 110 A 6.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 57 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 120 Amps 75V
Datenblatt
281Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 7.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 78 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 170 Amps 75V
Datenblatt
322Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 170 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 220 Amps 40V 0.0035 Rds
Datenblatt
250Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 220 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 112 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 230 Amps 75V
Datenblatt
184Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 230 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
Datenblatt
42Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 2A N-CH X2CLASS
Datenblatt
220Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2 A 2.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 55 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 34A N-CH X2CLASS
Datenblatt
208Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 44 Amps 100V 25.0 Rds
Datenblatt
847Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 44 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 27.4 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 48 Amps 200V 50 Rds
Datenblatt
150Auf Lager
600Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 48 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 60 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 4A N-CH X2CLASS
Datenblatt
295Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 700V 4A N-CH X4CLASS
Datenblatt
95Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 30 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 50 Amps 250V 50 Rds
Datenblatt
235Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 50 A 60 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 78 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs MOSFET Id60 BVdass100
Datenblatt
40Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 49 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Trench POWER MOSFETs 200v, 60A
Datenblatt
67Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 73 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 76 Amps 250V 39 Rds
Datenblatt
220Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 76 A 39 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 92 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds
Datenblatt
123Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 60 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
Datenblatt
87Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 90 Amps 55V 0.0084 Rds
Datenblatt
200Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 90 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 42 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds
Datenblatt
224Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 8.5 mOhms - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO3P 200V 60A N-CH TRENCH
Datenblatt
274Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 73 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 44 Amps 100V 25.0 Rds
Datenblatt
1 006Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 85 V 44 A 22 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 33 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO252 650V 4A N-CH X2CLASS
Datenblatt
238Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube