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PMDXB550UNEZ

Name: Nexperia PMDXB550UNEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB550UNEZ
Price: 0.74 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PMDXB550UNEZ

Herst.- Nr.:

PMDXB550UNEZ

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs PMDXB550UNE/SOT1216/DFN1010B-6

Datenblatt:

PMDXB550UNEZ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,74	€ 0,74
	€ 0,51	€ 5,10
	€ 0,323	€ 32,30
	€ 0,20	€ 100,00
	€ 0,148	€ 148,00
	€ 0,132	€ 330,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	€ 0,114	€ 570,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-1010-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	590 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	670 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	450 mV
Qg - Gate-Ladung:	1.05 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	4.03 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	600 mS
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7 ns
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	12 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	4 ns
Artikel # Aliases:	934069326147
Gewicht pro Stück:	1,290 mg

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Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

PMDXB550UNE Doppel-n-Kanal-MOSFET

Nexperia PMDXB550UNE Doppel-n-Kanal-MOSFET ist ein Surface-Mount-Device mit niedriger Schwellenspannung. Diese 30-V-Feld-Effekt-Transistoren (FET) vom Anreicherungstyp hat ein freiliegendes Drain-Pad für ausgezeichnete Wärmeleitung und ESD-Schutz. Typische Applikationen umfassen Relaistreiber, Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber, Low-Side-Lastschalter und Schaltkreise. Die PMDXB550UNE MOSFET wurde mit Trench-MOSFET-Technologie entwickelt und ist in einem drahtlosen, sehr kleinen DFN1010B-6 (SOT1216) Kunststoff-Gehäuse verfügbar.