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1EDB7275FXUMA1

Name: Infineon 1EDB7275FXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-1EDB7275FXUMA1
Price: 1.41 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-1EDB7275FXUMA1

Herst.- Nr.:

1EDB7275FXUMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

Gate-Treiber ISOLATED DRIVER

Datenblatt:

1EDB7275FXUMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,41	€ 1,41
	€ 1,03	€ 10,30
	€ 0,937	€ 23,43
	€ 0,832	€ 83,20
	€ 0,782	€ 195,50
	€ 0,751	€ 375,50
	€ 0,727	€ 727,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,676	€ 1 690,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Isolated Gate Drivers
Montageart:	SMD/SMT
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	9.8 A
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Versorgungsspannung - Max.:	15 V
Anstiegszeit:	8.3 ns
Abfallzeit:	5 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	DE
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Handelsname:	EiceDRIVER
Artikel # Aliases:	1EDB7275F SP005351350

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Datenblatt

1EDB7275FXUMA1 Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310030
ECCN:: EAR99

EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs sind für MOSFETs, IGBTs, SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs-Bauteile ausgelegt. EiceDRIVER™ Gate-Treiber bieten eine große Auswahl von typischen Ausgangsstromoptionen von 0,1 μA bis 10 μA. Diese Bauteile verfügen über robuste Gate-Treiber-Schutzfunktionen, wie z. B. schnelle Kurzschluss-Sicherung (DESAT), aktive Miller-Klemme, Durchzündungsschutz, Fehler-, Abschalt- und Überstromschutz. Diese Funktionen machen diese Treiber-ICs ideal für Silizium- und Breitbandlücken-Leistungsbauteile, einschließlich CoolGaN™ und CoolSiC™. Aus diesem Grund bietet der Infineon mehr als 500 EiceDRIVER™ Gate-Treiber-IC-Lösungen, die sich für jeden Leistungsschalter und jede Applikation eignen.

Einkanal-MOSFET-Gatetreiber-ICs

Die Einkanal-MOSFET-Gatter-Treiber-ICs von Infineon sind ein wesentliches Bindeglied zwischen Steuer-ICs und leistungsstarken MOSFET- und GaN-Schaltern. Die Gatetreiber-ICs von Infineon ermöglichen eine hohe Effizienz auf Systemebene, bieten eine exzellente Leistungsdichte und eine dauerhafte Systemrobustheit.
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Erleben Sie den Unterschied in der Leistung

Infineon ist führend auf dem Leistungshalbleiter-Markt. Mit mehr als 20 Jahren Erfahrung und als Innovator der revolutionären CoolMOSTM™ -Superjunction-MOSFET-Technologie ist Infineon weiterhin eine Vorreiterrolle im Bereich des Energiemanagements. Kunden können basierend auf individuellen Design-/Systemanforderungen aus dem branchenweit breitesten Silizium-basierten SJ-MOSFET-Portfolio auswählen. Als einer der wenigen Hersteller, die alle drei Hauptenergietechnologien beherrschen, ergänzt Infineon dieses Sortiment durch ein bahnbrechendes Breitbandlücken-Angebot (WBG). Dieses Angebot umfasst Siliziumkarbid-basierte CoolSiC™-MOSFETs, Anpassungsdioden und Galliumnitrid-basierte CoolGaN ™ -E-Modus-HEMTs. Es gibt Lösungen, die von einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis über eine unübertroffene Robustheit bis hin zu Geräten der Spitzenklasse reichen. Dies ermöglicht Kunden, effizientere, umweltfreundlichere und nachhaltigere Applikationen zu erstellen.

CoolGaN™ Galliumnitrid-HEMTs

Die CoolGaN™ Galliumnitrid-HEMT von Infineon bieten gegenüber Silizium entscheidende Vorteile, einschließlich hoher Wirkungsgrad, hervorragende Zuverlässigkeit, Leistungsdichte und die höchste Qualität. CoolGaN-Transistoren sind mit der zuverlässigsten Technologie ausgestattet, die für den höchsten Wirkungsgrad und die höchste Leistungsdichte in Schaltnetzteilen ausgelegt ist. Die Bauteile arbeiten mit einer Erweiterungsmodus-Gate-Antriebsvorspannung, die einen Gap-GaN-Gate-Aufbau verwendet, ähnlich wie herkömmliche Silizium-MOSFETs.