Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NTMFS3D0N08XT1G

Name: onsemi NTMFS3D0N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS3D0N08XT1G
Price: 2.3 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFS3D0N08XT1G

Herst.- Nr.:

NTMFS3D0N08XT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

Datenblatt:

NTMFS3D0N08XT1G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NTMFS3D0N08XT1G

Auf Lager: 98

Lagerbestand:: 98

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 9 000

erwartet ab 23.10.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 32

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 2,30	€ 2,30
	€ 1,47	€ 14,70
	€ 0,998	€ 99,80
	€ 0,832	€ 416,00
	€ 0,697	€ 697,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	€ 0,697	€ 1 045,50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	154 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.6 V
Qg - Gate-Ladung:	28 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	133 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	115 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8 ns
Serie:	NTMFS3D0N08X
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	35 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	24 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NTMFS3D0N08XT1G Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2025-2-27 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PowerTrench Technologie

Die onsemi PowerTrench Technologie stellt die Weiterentwicklung der PowerTrench Technologie dar, insbesondere von T6 bis T10, was einen Durchbruch in der Leistungselektronikbedeutet. Die von onsemi entwickelten PowerTrench MOSFETs bieten verbesserte Wirkungsgrade und Leistungen in verschiedenen Applikationen. Der Wechsel von T6/T8 zu T10 verbessert den On-Widerstand und die Schaltleistung auf signifikante Weise, was für energieeffiziente Designs entscheidend ist.

NTMFS3D0N08X n-Einkanal-Leistungs-MOSFET

Der onsemi NTMFS3D0N08X n-Einkanal-Leistungs-MOSFET ist ein T10-Standard-Gate-MOSFET von 80 V, der sich hervorragend für Cloud-Leistungs-, 5G-Telekommunikations- und andere PSU-Applikationen sowie DC/DC- und Industrieapplikationen eignet. Der NTMFS3D0N08X bietet eine bessere Leistung mit verbessertem Systemwirkungsgrad und hoher Leistungsdichte mit Leistungsmerkmalen unter der Leistungsfähigkeit. Dieser MOSFET bietet einen verbesserten Gesamtwirkungsgrad, verbesserte Schaltverluste, ein reduziertes Schwingen/Überschwingen/Rauschen und eine verbesserte Avalanche-Robustheit in schnellschaltenden Applikationen.