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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
onsemi MOSFET-Module 10M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
Datenblatt
26Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount PIM-18 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 105 A 14.5 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 150 C 272 W Tray
onsemi MOSFET-Module 10M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
Datenblatt
24Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount PIM-18 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 105 A 14.5 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 150 C 272 W NXH010P120M3F1PTG Tray