StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon StrongIRFET™ Power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. These devices are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. These MOSFETs have the highest current-carrying capability in the industry. This feature leads to increased robustness and reliability for high power density applications which require high efficiency and reliability. 

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies IRFP3006PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET UP TO 60V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 60 V 195 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 200 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7
Datenblatt
775erwartet ab 29.01.2027
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 60 V 300 A 1.9 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel