OptiMOS™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

Die OptiMOS™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen von Infineon Technologies werden mit der führenden Leistungshalbleitertechnologie gefertigt. Diese MOSFETs wurden wurden gezielt für die Anforderungen anspruchsvoller Fahrzeuganwendungen hinsichtlich Leistungfähigkeit, Qualität und Robustheit entwickelt. Die 80-V-MOSFETs OptiMOS™ 7 arbeiten mit einer Gate-Source-Spannung von ±20 VGS und in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C. Diese MOSFETs werden in einem oberseitig gekühlten 5 x 7mm2 großen SSO10T SMD-Gehäuse angeboten. Das SSO10T-Gehäuse hilft Anwendern, Verbesserungen bei der Kühlung und Leistungsdichte zu erzielen. Die 80-V-Leistungs-MOSFETs sind MSL-1-zertifiziert, RoHS-konform und zu 100 % Avalanche-getestet. Diese Leistungs-MOSFETs eignen sich ideal für allgemeine Fahrzeuganwendungen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Datenblatt
3 438Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 4.6 mOhms 20 V 3.2 V 27.2 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Datenblatt
3 840Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 210 A 1.8 mOhms 20 V 2 V 79.9 nC - 55 C + 175 C 169 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Datenblatt
3 961Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 177 A 2.4 mOhms 16 V 2 V 65.2 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Datenblatt
3 804Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 3.3 mOhms 16 V 2 V 44.3 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Datenblatt
3 492Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 76 A 7.8 mOhms 20 V 3.2 V 22.2 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Datenblatt
3 711Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 293 A 1.26 mOhms 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 219 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Datenblatt
3 693Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 130 A 3.3 mOhms 16 V 2 V 44.3 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
Datenblatt
5 947Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-3 N-Channel 1 Channel 80 V 262 A 1.63 mOhms 20 V 3.2 V 83 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
Datenblatt
5 955Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-2 N-Channel 1 Channel 80 V 223 A 1.94 mOhms 20 V 3.2 V 68 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T
Datenblatt
5 927Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-1 N-Channel 1 Channel 80 V 186 A 2.44 mOhms 20 V 3.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 157 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
Datenblatt
5 824Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-1 N-Channel 1 Channel 80 V 103 A 4.54 mOhms 20 V 3.2 V 27 nC - 55 C + 175 C 98 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Datenblatt
2 920Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 35 A 17.7 mOhms 16 V 2 V 11.8 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Datenblatt
3 955Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 27 A 28.9 mOhms 16 V 2 V 10.9 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape