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NVMYS4D5N04CTWG

Name: onsemi NVMYS4D5N04CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS4D5N04CTWG
Price: 1.44 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMYS4D5N04CTWG

Herst.- Nr.:

NVMYS4D5N04CTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T6 40V SL LFPAK

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

NVMYS4D5N04CTWG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	80 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	18 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	55 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	57 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	80 ns
Serie:	NVMYS4D5N04C
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns

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Datenblatt

NVMYS4D5N04CTWG Datenblatt

EOL

Product Discontinuation Notification 2026-7-10 (PDF)

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: Japan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NVMYS4D5N04C Einzelne N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die einzelnen N-Kanal-Leistungs-MOSFETs NVMYS4D5N04C von onsemi wurden speziell für die Automobilindustrie entwickelt und sind in einem 5 mm x 6 mm LFPAK-Gehäuse untergebracht. Mit dem NVMYS4D5N04C von onsemi lassen sich kompakte und effiziente Designs realisieren und dabei eine hohe thermische Leistung sicherstellen. Die MOSFETs sind AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig und somit für Fahrzeuganwendungen geeignet, die eine höhere Zuverlässigkeit auf Leiterebene erfordern.

EMPFOHLENE PRODUKTE

ONSEMI

NVNJWS1K6N061L N-Kanal-MOSFET

Verfügt über einen niedrigen RDS_(on)und einen niedrige Gate-Schwellenwert mit integriertem ESD-Schutz.

Mehr erfahren

NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFET

Optimiert für den Hochspannungsbetrieb und beständig gegen schnelles Schalten und hohe Stromlasten.

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NTMFD0D9N02P1E MOSFET

Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.

Mehr erfahren

NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert.

Mehr erfahren

NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

Dieses Bauteil bietet einen niedrigen Q_RR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

Mehr erfahren

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NVMYS4D5N04CTWG

Herst.: onsemi

Beschreibung: MOSFETs T6 40V SL LFPAK

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