Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

FFSH30120A-F155

Name: onsemi FFSH30120A-F155
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSH30120A-F155
Price: 14.53 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-FFSH30120A-F155

Herst.- Nr.:

FFSH30120A-F155

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden SIC DIODE GEN1.0 TO247-2L LL

Datenblatt:

FFSH30120A-F155 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi FFSH30120A-F155

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.

1 350 Kann in 20 Tagen versandt werden

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 14,53	€ 14,53
	€ 9,21	€ 92,10
	€ 8,51	€ 1.021,20

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-2
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	30 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	1.2 kV
Vf - Durchlassspannung:	1.45 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	230 A
Ir - Sperrstrom:	200 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	FFSH30120A-F155
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Pd - Verlustleistung:	500 W
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Handelsname:	EliteSiC
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

FFSH30120A-F155 Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

FFSH10120A-F155 Siliziumkarbid-(SiC)-Dioden

Die FFSH10120A-F155 Siliziumkarbid-(SiC)-Dioden von onsemi bieten eine überragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit als Silizium. Das FFSH10120A-F155 von onsemi zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand und eine kompakte Chip-Größe aus, die niedrige Kapazität und Gare-Ladung gewährleistet. Zu den Vorteilen des Systems gehören einhoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, höhere Leistungsdichte, reduzierte EMI und reduzierte Systemgröße.