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S29GL128S10TFIV20

Name: Infineon S29GL128S10TFIV20
Brand: Infineon Technologies
SKU: 797-29GL128S10TFIV20
Price: 6.53 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

797-29GL128S10TFIV20

Herst.- Nr.:

S29GL128S10TFIV20

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

NOR-Flash 128Mb 3V 100ns Parallel NOR-Flash

Datenblatt:

S29GL128S10TFIV20 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	€ 6,08	€ 60,80
	€ 5,89	€ 147,25
	€ 5,75	€ 287,50
	€ 5,62	€ 562,00
	€ 5,44	€ 1.360,00
	€ 5,30	€ 2.650,00
	€ 5,17	€ 4.704,70
2 730	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	NOR-Flash
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSOP-56
Serie:	S29GL128S
Speichergröße:	128 Mbit
Versorgungsspannung - Min.:	2.7 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Max. aktiver Lesestrom:	60 mA
Schnittstellen-Typ:	Parallel
Organisation:	8 M x 16
Datenbus-Weite:	16 bit
Timing-Typ:	Asynchronous
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	NOR Flash
Geschwindigkeit:	100 ns
Verpackung ab Werk:	910
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Handelsname:	MirrorBit

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Datenblatt

S29GL128S10TFIV20 Datenblatt (PDF)

Statement Regarding the RoHS Compliance of Cypress Products

Konformitätscodes

TARIC:: 8542326100
CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8471600499
ECCN:: 3A991.b.1.a

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Vereinigte Staaten
Herstellungsland:: Thailand
Land der Verbreitung:: China

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

S29GL128P NOR Flash-Speicher

Die NOR Flash-Speicher-Geräte des Typs S29GL128P von Cypress sind einzelne 3-V-Lese- und Schreib-Flashprodukte des Typs Mirrorbit^®, die mit der 90-nm-Prozess-Technologie aufgebaut sind.Diese Geräte bieten einen schnellen Seitenzugriff von 25 ns mit einem Random-Zugriff von bis zu 90 ns. Er enthält einen Schreib-Puffer, der die Programmierung von maximal 32 Wörtern/64 Bytes in einem Vorgang ermöglicht. Diese Geräte sind ideal für moderne integrierte Anwendungen, die hohe Dichte, eine höhere Leistung und geringeren Energieverbrauch erfordern.