PXNx N-Kanal Logic Level Trench MOSFETs

Nexperia PXNx N-Kanal Logic Level Trench MOSFETs sind für hochgradig effizientes Power Management in verschiedenen Anwendungen konzipiert. Diese Nexperia MOSFETs zeichnen sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand [R_DS(on)] aus, der von 2,8 mΩ bis 14 mΩ reicht, und unterstützen 60 V und 100 V Drain-Source-Spannungen (V_DS). Diese MOSFETs sind für die Kompatibilität mit Logikpegeln optimiert und eignen sich für die sekundärseitige Synchrongleichrichtung, Gleichstromwandler, Motorantriebe, Lastschaltungen und LED-Beleuchtungen. Diese MOSFETs sind in thermisch effizienten MLPAK33- und MLPAK56-Gehäusen untergebracht, die kompakte Grundfläche und verbesserten thermischen Wirkungsgrad bieten. Mit Eigenschaften wie niedriger Gatterladung (Qg) und hoher Robustheit gegen Lawinendurchbrüche gewährleistet die Baureihe PXNx zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen.