QPD GaN-HF-Transistoren

Die QPD GaN-HF-Transistoren von Qorvo können in der Doherty-Architektur für die Endstufe eines Basisstation-Leistungsverstärkers für Makrozellensysteme mit hohem Wirkungsgrad verwendet werden. Diese GaN-Transistoren sind diskrete GaN-auf-SiC-HEMTs, die mit einem einstufigen Leistungsverstärker-Transistor abgestimmt sind. Zu den typischen Applikationen gehören W-CDMA/LTE, Makrozellen-Basisstationen, aktive Antennen und Universal-Applikationen.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 25
Mult.: 25

NI-360 N-Channel 28 V 12 A - 7 V, + 2 V - 2.9 V 144 W
Qorvo GaN FETs DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN
Datenblatt
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5
Mult.: 5

SMD/SMT DIE N-Channel 80 mA - 40 C + 85 C 8.9 W
Qorvo GaN FETs 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-16 32 V 250 mA - 40 C + 85 C
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
Datenblatt
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Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
Datenblatt
9Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

NI-650 N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 25
Mult.: 25

SMD/SMT NI-360 N-Channel 36 V 12 A 117 W
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 25
Mult.: 25

SMD/SMT N-Channel 36 V 12 A 117 W
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB
Datenblatt
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB
Datenblatt
Produkt-Kommentare
Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB
Datenblatt
Produkt-Kommentare
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 25
Mult.: 25

Screw Mount NI-360 N-Channel 32 V 7.32 A - 40 C + 85 C 86 W
Qorvo GaN FETs DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm
Datenblatt
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT Die N-Channel 32 V 1.7 A - 65 C + 150 C 34.5 W
Qorvo GaN FETs 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.3 A + 225 C 33 W
Qorvo GaN FETs 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.8 A + 225 C 49 W
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 25
Mult.: 25

SMD/SMT NI-360 N-Channel 32 V 7.32 A - 40 C + 85 C 86 W
Qorvo T1G4020036-FL
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 25
Mult.: 25

NI-650 N-Channel