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NVMTSC1D3N08M7TXG

Name: onsemi NVMTSC1D3N08M7TXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMTSC1D3N08M7TG
Price: 5.26 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMTSC1D3N08M7TG

Herst.- Nr.:

NVMTSC1D3N08M7TXG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PT7 80V DC PQFN8*8 EXPANSION

Datenblatt:

NVMTSC1D3N08M7TXG Datenblatt

ECAD Model:

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 5,26	€ 5,26
	€ 3,75	€ 37,50
	€ 2,73	€ 273,00
	€ 2,59	€ 2.590,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 2,55	€ 7.650,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFNW-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	348 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.25 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	196 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	5.1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	PH
Land der Verbreitung:	KR
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	32.8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	253 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	29 ns
Serie:	NVMTSC1D3N08M7
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	80.9 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	39.9 ns
Gewicht pro Stück:	319,280 mg

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Datenblatt

NVMTSC1D3N08M7TXG Datenblatt

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVMTSC1D3N08M7 n-Einkanal-Leistungs-MOSFET

Der onsemi NVMTSC1D3N08M7 n-Einkanal-Leistungs-MOSFET ist ein kompakter und effizient ausgelegter Automotive-Leistungs-MOSFET mit hoher thermischer Leistung. Dieser Leistungs-MOSFET verfügt über eine niedrige Kapazität und eine benetzbare Flankenoption für eine verbesserte optische Inspektion. Der NVMTSC1D3N08M7 MOSFET ist AEC-Q101-qualifiziert sowie PPAP-fähig und verfügt über einen kleinen Footprint in einem Flat-Lead-Gehäuse von 8 mm x 8 mm. Dieses Bauteil eignet sich hervorragend für den Batterie-Verpolungsschutz, Schaltnetzteile, High-Side-Treiber, Low-Side-Treiber, H-Brücken und andere Fahrzeuganwendungen.