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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Handelsname Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 4 102Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 174 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 4 082Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 150 V 148 A 6.32 Ohms - 10 V, 10 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 2 676Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 143 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 55 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 3 670Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 78 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 1 781Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 122 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 47 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IPP076N15N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 891Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 112 A 7.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube